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ATLANT 3D DALP 這款技術突破傳統微納米加工行業限制, 解決現有ALD技術無法區域選擇和無法圖形化的痛點, 輕松創造新材料和新工藝且達到埃米原子級極高精度;

ATLANT 3D領先的無掩膜ALD直寫沉積技術DALP , 實現可控圖形化及亞埃原子級超高加工精度, 在整個全球微電子研發及生產體系中脫穎而出, 滿足從先進材料研發、微納器件原型設計、可擴展制造到微納光電子學、光子學、微流體、 MEMS/傳感器、印刷電子等領域的先進應用; 且這種獨特技術具有超高靈活性以及材料零浪費, 并與半導體行業標準相兼容;